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法国国家科学研究院Pierre Ruterana教授受聘我校客座教授

作者:瞿厢婷   编辑:瞿厢婷     发布时间:2016-05-06 10:30:43     来源:新闻中心      

 

本网讯:5月4日,法国国家科学研究院Pierre Ruterana教授受聘为我校客座教授,湖北大学王浩教授随同来访。校长潘慧明教授,副校长鲁旭东教授、李渺教授出席授聘仪式。授聘仪式由鲁旭东主持。

潘慧明对Pierre Ruterana教授的到来表示欢迎,并向其介绍了学校的基本情况,希望Pierre Ruterana教授积极支持学校的建设与发展。潘慧明向Pierre Ruterana颁发了聘书。

授聘仪式后,Pierre Ruterana教授和王浩教授分别做了“The latest developments of nitride semiconductor compounds for LEDs and HEMT”、“绿色新能源材料与先进光电器件”两场学术报告。

办公室、人事处、国际合作与交流处、物理与电子信息工程学院、化学与材料科学学院负责人参加仪式。

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Pierre Ruterana教授是法国国家科学研究院(CNRS)主任研究员,离子、材料与光电子研究中心清洁能源材料性能研究室主任,卡昂国立高等工程师学院(ENSICAEN)教授,卡昂大学教授、博士生导师。湖北省“楚天学者计划” 湖北大学讲座教授。 Pierre Ruterana教授是半导体材料与光电子器件领域国际著名学者,迄今为止,培养博士生近30名,博士后20名。 主持5项欧盟项目、5项法国研究署(ANR)项目等,共支配科研经费2千万欧元;欧盟第7框架项目及法国ANR项目评审委员会委员。在Phys. Rev.B、 Appl.Phys.Lett等国际著名学术刊物发表SCI论文330余篇,被SCI论文他引2600余次,主编、参与出版书籍6部;担任德国Wiley出版社众多SCI期刊特刊主编10次。组织与召集欧洲材料学会、美国材料学会、欧洲电子显微镜学会等国际会议12场;受邀在欧洲材料学会、美国材料学会等著名国际会议做特邀报告70余场。在氮基三五族半导体材料的晶体缺陷、晶界的形成机理及其控制;离子注入对氮基三五族半导体的损伤;缺陷、材料残余应力对光电器件的影响做出了一系列开创性工作。

王浩教授是湖北省“楚天学者计划”湖北大学特聘教授、博士生导师,湖北大学研究生院常务副院长。在华中科技大学获工学学士、博士学位,在北京大学、香港中文大学从事博士后研究,曾任上海交通大学教授、剑桥大学高级研究员,任德国马普固态研究所、法国国家科学研究院、瑞典皇家工学院、芬兰阿尔托大学、香港中文大学、台湾中山大学访问教授。